7纳米光刻机中国能造吗 7nm光刻机哪些国家有

“离开美国，我国两年内能制造出7nm高端芯片吗？”这是自中芯国际与ASML公司签订12亿美元采购合同之后，国内网友最关注的话题。
自去年5月美国利用芯片对华为进行深度打击后，芯片就一直成为国人们最关注的话题，并且对此展开了激烈的讨论。那么，我们离开美国的技术和设备，两年之内可以制造出7nm芯片吗？
芯片是半导体元件的统称，在正式商用之前，要经过晶圆制作、芯片设计、晶圆加工、封装测试等几个复杂的环节。
首先，晶圆制作
现在制作芯片晶圆的成分是硅，从石英砂中提取而来，再经过99.999％的纯化后制成晶圆棒，成为制造集成电路的材料，最后经过切片进而成为芯片制作所需要的晶圆。
其次，芯片设计
所谓的芯片设计，就是根据设计的需求，生成的“图样” 。任正非曾表示，我国拥有世界顶级的芯片设计能力，华为海思制造的麒麟9000 5G芯综合性能超越高通骁龙888和苹果A14仿生芯片就是最好的证明。
第三，晶圆加工
晶圆加工不但需要高端光刻机对芯片进行光学显影后，还需要蚀刻机对印好线路图的硅晶圆进行晶体管集成。这套工序需要一套极其精密的设备紧密配合，堪称芯片制造过程中最为复杂的步骤。
然后经过封装测试后，剔除不合格的产品，方能被应用在电子智能产品上。
在芯片制造的所有步骤中，晶圆加工是我国集成电路产业链的短板，主要原因就是高端光刻机被卡了脖子，而我国自研的光刻机仅为28nm级，经过技术改进后可生产14nm芯片。
那么，我们两年之内可以制造出7nm“中国芯”吗？答案是肯定的，可以！
据知情人士透露，中芯国际自研的“N+1”芯片制程工艺已经成熟，完全可以绕过高端光刻机制造出7nm芯片，不久即可进行风险量产。
除此之外，随着国内不断加大对半导体行业发展的重视，各大科研机构、企业不断提升科研投入，加大科技攻关力度，在短时间内不断打破技术壁垒，我国半导体行业的整体水平得到了很大的一个提升。
二月底，清华大学正式宣布，已经发现一种可用于EUV光刻机的新光源，加速了国内EUV光刻机的研发进程。值得一提的是，EUV光刻机最核心的技术就是紫极外光技术，只要我们掌握了这种技术，再寻找到可以替代来自美企用于EUV光刻机的核心元器件，我们便可以制造出EUV光刻机。届时，“中国芯”将迎来一个高速发展期。

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