上海微电子（SMEE) 做为国内拥有最先进的光刻机设计制造技术厂商，目前能达到的最高工艺节点（tech node) 是90nm 。90nm是什么概念呢？大致相当于2004年2月年英特尔的奔腾4，当时最强的Prescott架构3.8Ghz就是用的90nm光刻，也是那个时代晶圆厂最好的工艺代表 。另外同期同制程节点的还有索尼Playstation2的处理器、IBM PowerPC G5、英伟达的GeForce8800 GTS等 。当然实际光刻能力，涉及到晶圆厂的制造能力，最终会有不同 。虽然光刻工艺只是芯片制造的上千道工艺中的一部分，但确实最关键的，光刻精度不够，后面任何步骤设计都会产生大量的偏移和失效 。这在国际上，算是第四名，因为没有第五第六名 。
文章稍微有些难度，但请看完并将问题放到评论区，我会尽力解答 。

光刻基本原理图解：光刻胶会根据光罩所绘制的图形被UV射线照射下留下对应的图形形状
晶圆片放大后可以看到一个一个的die排列，die内部是层层叠叠的电路，这些电路就先由光刻开始来制造
而这台SSX600系列的90nm光刻机，大约是在2007年研发成功，真正上市时间未知 。时至今日，上海微电子的主流产品还停留在前道90nm以及后端光刻系列 。后端光刻主要用于先进封装形式，也就是晶圆级封装（WLP）及Bumping为主，对光刻精细度要求没有可比性，拜托有的人就不要把封测那边甚至是MEMS、液晶面板光刻的市场份额拿出来说了，完全两个世界 。前道光刻才是真正的地狱难度 。
所谓IC前道光刻机90nm系列
那90nm的光刻机在2021年的今天，还能做什么？我们可以看看下面这个图：，55-90nm仅剩9%的产能，逻辑芯片（比如CIS，驱动芯片、控制芯片等）、e-Flash和DAO(电源类分立器件芯片，结构最为简单）为主 。也就是说基本上不会是西方卡脖子的类别，器件设计上构造简单的芯片 。
全球晶圆制造产能vs.技术节点占比
导致国产光刻机一直没用进步的原因有很多 。实际上国家进行相关立项是非常早的，也不仅仅是一家公司一个研究机构进入项目 。可无奈高端光刻机的大部分核心零部件，我们没有能力设计制造，导致一进口就被禁运 。当然，我们的设备厂商、半导体材料研究机构、晶圆厂，都在积极寻求和国外机构、企业的合作，以达到研发和其他资源上的共赢，并规避一部分境外的技术、材料、部件的限制 。只是离高端制程节点越近，这样的限制就卡得越紧 。（大家可以查一下IMEC这个比利时的研究机构，他们在上海也有分店 。）
我们可以先看看一台光刻机的主要组成部分有哪些：

• 光学成像系统（制造更短的波长满足瑞利准则CD = k1?? λ / NA）

• 光路与激光系统 （决定不同的光源和发射方式）

我国大部分商用级的激光研发都在光电，精度级别也有差异

• 镜头与对焦系统 （复杂的纳米级光学成像系统）

EUV光刻机内部大概是这样的

• 机械、自动化部分 （所谓超精密型自动化系统，感应精度要达到每秒两万次位置检测，每次位移小于一个硅原子的尺寸——60皮米 。什么概念？你要开着高达在一根头发上刻自己名字）

感应器要检测图中黑色晶圆片上每一个die内部的电路之间光刻的完成情况，而且是每秒几万次
量测系统（光学、e-beam、In-Scanner以及Pattern Fidelity，这也不是简单的部分，在晶圆厂里面有专门一个部门叫Metrology进行这项工作，比如e-beam就需要单独一个机台产生电子束并生成图像，In-Scanner则是亚纳米级——小于1纳米的尺寸精度)
光学检测机台
e-Beam有专门的系统来负责

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